RAM
TIEMPO DE REFRESCO:
El
refresco o latencia es el tiempo en que carga en recargar
eléctricamente las celdas de memoria. SDRAM DDR 2,4 V. Voltaje 3,3
voltios.
T. DE ACCESO:
Es
el tiempo requerido o necesario que se necesita desde que se lanza la
operación de lectura o escrito en la memoria, el instante que se dispone
a la información buscada. También tiempo que se solicita a la memoria
para poder ejecutar cualquier operación específica.
BUFFER DE DATOS PARIDAD:
Es
el espacio de memoria, en el que almacenamos datos que el programa o
recurso que los requiere, ya sea software o hardware, se quede en algún
momento sin datos.
La paridad es un método de codificación que comprende: recibir bits de información, y generar.
Se
utiliza para detectar, y corregir errores en la transmisión. Se trata
de añadir un bit adicional de control que nos indica un numero de uno de
los contenidos si es par es 0 y si es impar.
ESTRUCTURA FISICA DE LA RAM
Conectores por los 2 lados. Normalmente tienen 168 contactos divididos en 2 caras. 32 x 2 = 64 bits.
Módulos SIMM Son unos módulos de memoria que se “pinchan” en unas ranuras existentes en la placa base.
Después
de los mudos SIMM, aparecieron los módulos de memoria DIMM que permiten
recibir y transmitir 64 bits de datos en paralelo
RAM VOLATIL
Es
volátil, que solamente almacena datos mientras recibe electricidad. Por
lo tanto, cada vez que el equipo se apaga, todos los datos de la
memoria se borran.
Se
denominada Memoria de Acceso Aleatorio, es un área de almacenamiento a
corto plazo para cualquier tipo de dato que en la computadora se esté
ejecutando.
ALMACENAMIENTO DE LA RAM
Asíncrona
es la que no está sincronizada por los ciclos del reloj. Según ha
avanzado la velocidad de las memorias han ido dando paso a la síncrona,
ya q son más rápidas.
ASINCRONA: La señal de validación de los datos (reloj) se genera de forma independiente en el transmisor y receptor.
SINCRONA: Se envía una señal de reloj auxiliar que validad el dato.
DIP: Es
un circuito integrado electrónico compuesto por un conjunto de
componentes conectados entre si e incluidos en una placa de silicio de
menos 1 mm, formando un conjunto en miniatura capaz de desarrollar las
mismas funciones que un circuito formados por elementos discretos.
SIPP: Es
un circuito impreso o modulo, en el cual se montan varios (chips) de
memoria RAM, con una distribución de pines correlativos. Es alargado y
tiene alrededor de 30 pines, estos encajan en las ranuras de la placa
base y su ministran 4 bits por modulo.
SIPP: Es
un circuito impreso o modulo, en el cual se montan varios (chips) de
memoria RAM, con una distribución de pines correlativos. Es alargado y
tiene alrededor de 30 pines, estos encajan en las ranuras de la placa
base y su ministran 4 bits por modulo.
SIMM: Es
un tipo de encapsulado compacto en un placa de circuito impreso que
almacena chips de memoria en la que se encajan en un zócalo SIMM sobre
la placa base, sus zócalos son blancos.
DIMM: Se
trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se
coloca directamente en ranuras de la placa madre, se usa en un conector
de 168 contactos y sus zócalos generalmente son negros.
RIMM: Denomina al patrón de la RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM y
debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de
calor consistentes en una placa metálica que recubre los (chips) del
módulo.
MEMORIAS ASINCRONAS
DRAM: RAM
dinámica, son memorias RAM cuyo elemento básico de almacenamiento es el
capacitor, se le denomina dinámica debido a que es necesario aplicarle
un ciclo de refresco para evitar que se pierda la información en ellas
almacenada.
FPM: Memoria
muy popular, ya que era la que se incluía en los antiguos 386, 486 y
primeros Pentium. Alcanza velocidades de hasta 60 ns. Se encuentra en
los SIMM de 30 contactos y los posteriores de 72.
EDO: La
memoria EDO es un tipo de memoria asíncrona, el cual permite al
controlador de memoria procesar los datos más rápido que la memoria FPM.
Operación buses de memoria de 66MHz con velocidades que van de los 50 a
70 nanosegundos.
BEDO Tecnología
de memoria RAM que realiza la transferencia de datos en ráfaga por un
conducto propio de transferencia. Opera con buses de memoria de 66MHz a
52 nanosegundos.
MEMORIA SINCRONA
DDR SDRAM: La
memoria DDR SDRAM es una tecnología de memoria síncrona que permite la
transferencia de datos durante los estados de transición de alto y bajo
de las señales de entrada y salida, puede trabajar con buses de memoria
superiores a los Z125MHz.
PC-100 DRAM: Es
un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a
calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidas por
Intel. El objetivo es garantizar un funcionamiento estable en la
memoria RAM a velocidades de bus de 100 MHz.
PC-133 DRAM: Muy
parecida a la anterior y de grandes exigencias técnicas para garantizar
que el módulo de memoria que la cumpla funcione correctamente a las
nuevas velocidades de bus de 133 MHz que se han incorporado a los
últimos Pentium
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz
BIOS
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